Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Arsenik Katkılı, Özdirenç: 0,001-0,005 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 450 nm

  4'', Si + SiNx Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 450 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Arsenik Özdirenç (ohm.cm) 0,001-0,005 Cila 1 Yüzey   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 625 ± 25 μm, Testing Grade

  4'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  625± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek taraflı Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 625± 25 μm, EPI-Ready

  4'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  625± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Single Side Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 625± 25 μm, Testing Grade

  4'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  625± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 625± 25 μm, EPI-Ready

  4'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler :  Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  625± 25 Katkılayıcı  Sülfür ( N tipi ) Cila  Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Altaş/Wafer, Boyut:3”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 600± 25 μm, Testing Grade

  3'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Sülfür ( N tipi ) Cila  Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 600± 25 μm, EPI-Ready

  3'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Demir ( N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1 Özdirenç (Ohm.cm)  1E7   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 600± 25 μm, EPI-Ready

  3'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, Testing Grade

  3'', Indium Phosphide (InP) Wafers/Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler :  Size (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim （1.5-3.5）E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et