İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, Testing Grade

Teknik Özellikler :  Size (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, Testing Grade

Teknik Özellikler :  Size (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, EPI-Ready

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Demir ( N tipi ) Cila  Tek Taraf Devinim (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1 Özdirenç (Ohm.cm)  1E7   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 600± 25 μm, EPI-Ready

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  600± 25 Katkılayıcı  Demir ( N tipi ) Cila  Tek Taraf Devinim (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1 Özdirenç (Ohm.cm)  1E7   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 350± 25 μm, Testing Grade

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Tek Taraf Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 350± 25 μm, Testing Grade

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 111, Kalınlık: 350± 25 μm, EPI-Ready

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Cila  Tek Taraf Devinim (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  111 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Fosfit (InP) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Tek Tarafı Cilalı, Oryantasyon: 100, Kalınlık: 350± 25 μm, Testing Grade

Teknik Özellikler:  Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350± 25 Katkılayıcı  Sülfür (N tipi) Devinim  Tek Taraf Mobility (1.5-3.5)E3 Oryantasyon  100 EPD  ≤5000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 1000± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready

Teknik Özellikler: Kalite  EPI-Ready Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  1000± 25 Cila  Tek Taraf Katkılayıcı  Çinko/Sülfür (Zn/S, N Tipi) Oryantasyon  100 Devinim  6000-20000 EPD  ≤50000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 625± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready

Teknik Özellikler: Kalite  EPI-Ready Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  625± 25 Cila  Tek Taraf Katkılayıcı  Çinko/Sülfür (Zn/S, N Type) Oryantasyon  100 Devinim  6000-20000 EPD  ≤50000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 500± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready

Teknik Özellikler:  Kalite  EPI-Ready Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  500± 25 Cila  Tek Taraf Katkılayıcı  Çinko/Sülfür  (Zn/S, N Type) Oryantasyon  100 Devinim  6000-20000 EPD  ≤50000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Mekanik , 4H Alan: 80%

Teknik Özellikler: Kalite  Mechanical Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤1 4H area  80% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤45 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Mechanical Grade , 4H Alan: 100%

Teknik Özellikler:  Kalite  Production Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  100% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤10 Bow  ≤10 Warp  ≤25 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: 95%

Teknik Özellikler: Kalite  Testing Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Dummy Grade , 4H Alan: 95%

Teknik Özellikler : Kalite  Dummy Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H Alan  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤25 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: 95%

Teknik Özellikler: Kalite  Testing Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H Alan  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Research Grade , 4H Alan: 95%

Teknik Özellikler: Kalite  Research Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H Alan  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤10 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….  

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Production Grade , 4H Alan: 100%

Teknik Özellikler: Kalite  Production Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  100% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤10 Warp  ≤25 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Dummy Grade , 4H Alan: 95%

Teknik Özellikler: Kalite  Dummy Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤25 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et