Wafer – Alttaş | Nanomalzeme, Metal Tozları, Nano Metal Tozları, Aşındırıcı Tozlar, Karbürler

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Kalınlık: 725 nm, P tipi

seferbas 8'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe İlk Katkılayıcı P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon 100 Cihaz Kalınlığı (nm) 600 Cihaz Direnci (ohm.cm) 1-100 Cihaz Tipi P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yönelimi 100 Kutu Kalınlığı (nm) 2000 Kaynak: Linke tıklayınız….

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi

seferbas 8'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch) 8” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe Prime Katkılayıcı P tipi (Bor Katkılı) Oryantasyon 100 Cihaz Kalınlığı (nm) 300 Cihaz Direnci (ohm.cm) 1-100 ohm.cm Cihaz Tipi P tipi (Bor Katkılı) Cihaz Yönelimi 100 Kutu Kalınlığı (nm) 500 Kaynak: Linke tıklayınız….

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Cihaz Kalınlığı: 340 nm, P tipi

seferbas 6'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch) 6” Kalınlık (μm) 625 Özdirenç (ohm.cm) 1-20 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon 100 Cihaz Kalınlığı (nm) 340 Cihaz Direnci (ohm.cm) 1-20 Cihaz Tipi P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yönelimi 100 Kutu Kalınlığı (μm) 2 Kaynak: Linke tıklayınız….

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Kalınlık: 625 nm, P tipi

seferbas 6'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch) 6” Kalınlık (μm) 625 Özdirenç (ohm.cm) 1-20 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon 100 Cihaz Kalınlığı (nm) 220 Cihaz Direnci (ohm.cm) 1-20 Cihaz Tipi P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yönelimi 100 Kutu Kalınlığı (μm) 1.5 Kaynak: Linke tıklayınız….

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/ Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 725 μm, P tipi (Bor katkılanmış)

seferbas 4'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch) 4” Kalınlık (μm) 725 Özdirenç (ohm.cm) 1-100 Kademe İlk Katkı Maddesi P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon 100 Cihaz Kalınlığı (nm) 300 Cihaz Direnci (ohm.cm) 1-100 Cihaz Tipi P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yöneliimi 100 Kutu Kalınlığı (nm) 500 Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Kuru), Boyut: 6″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 675 ± 15 um, Kaplama: 200 nm

seferbas 6'', Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Kuru) Boyut (inch) 6” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 200 Kalınlık (μm) 575 ± 15 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 2 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 4″, Oryantasyon: (111), Fosfor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525 ± 25 um, Kaplama: 1000 nm

seferbas 4'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (111) Kaplama (nm) 1000 Kalınlık (μm) 525 ± 25 Katkı Fosfor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525 ± 25 um, Kaplama: 1500 nm

seferbas 4'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 1500 Kalınlık (μm) 525 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525 ± 25 um, Kaplama: 400 nm

seferbas Wafer - Alttaş 0 17 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 400 Kalınlık (μm) 525 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525 ± 25 um, Kaplama: 300 nm

seferbas 4'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 300 Kalınlık (μm) 525 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 0.001 – 0.01 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525 ± 25 um, Kaplama: 500 nm

seferbas 4'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 500 Kalınlık (μm) 525 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 0.001 – 0.01 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 500 ± 15 um, Kaplama: 300 nm

seferbas 4'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 300 Kalınlık (μm) 500 ± 15 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 2 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Kuru), Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525 ± 25 um, Kaplama: 200 nm

seferbas 4'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Kuru) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 200 Kalınlık (μm) 525 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Kuru), Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1 -10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525 ± 25 um, Kaplama: 100 nm

seferbas 4'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Kuru) Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 100 Kalınlık (μm) 525 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si + SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 3″, Oryantasyon: (111), Bor Katkılı, Özdirenç: 1 -10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 381 ± 25 um, Kaplama: 500 nm

seferbas 3'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 3” Oryantasyon (111) Kaplama (nm) 500 Kalınlık (μm) 581 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 3″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1 -10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 380 ± 25 um, Kaplama: 300 nm

seferbas 3'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 3” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 300 Kalınlık (μm) 380 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Kuru), Boyut: 3″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 380 ± 25 um, Kaplama: 100 nm

seferbas 3'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Kuru) Boyut (inch) 3” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 100 Kalınlık (μm) 380 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Sulu), Boyut: 2″, Oryantasyon: (111), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-20 (ohm.cm), 2 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 500 ± 25 um, Kaplama: 500 nm

seferbas 2'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Sulu) Boyut (inch) 2” Oryantasyon (111) Kaplama (nm) 500 Kalınlık (μm) 500 ± 25 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-20 Cila 2 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+SiO2 Wafer/Alttaş (Kuru), Boyut: 2″, Oryantasyon: (100), Bor Katkılı, Özdirenç: 1-10 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 279 ± 20 um, Kaplama: 100 nm

seferbas 2'', Si + SiO2 Wafer/Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+SiO2 (Kuru) Boyut (inch) 2” Oryantasyon (100) Kaplama (nm) 100 Kalınlık (μm) 279 ± 20 Katkı Bor Özdirenç (ohm.cm) 1-10 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….

Prime Si+Si3N4 Wafer/Alttaş, Boyut: 4″, Oryantasyon: (100), Arsenik Katkılı, Özdirenç: 0,001-0,005 (ohm.cm), 1 Yüzeyi Parlatılmış, Kalınlık: 525± 25 um, Kaplama: 450 nm

seferbas 4'', Si + SiNx Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş 0 16 Kasım 2021

Teknik Özellikleri: Kalite Prime Materyal Si+Si3N4 Boyut (inch) 4” Oryantasyon (100) Kaplama 450 nm Kalınlık (μm) 525± 25 Katkı Arsenik Özdirenç (ohm.cm) 0,001-0,005 Cila 1 Yüzey Kaynak: Linke tıklayınız….