Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Mekanik , 4H Alan: 80%

  4, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Mechanical Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤1 4H area  80% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤45 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Mechanical Grade , 4H Alan: 100%

  4, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler:  Kalite  Production Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  100% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤10 Bow  ≤10 Warp  ≤25 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: 95%

  4, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Testing Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 350 μm, Dummy Grade , 4H Alan: 95%

  4, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler : Kalite  Dummy Grade Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H Alan  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤25 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: 95%

  3, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Testing Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H Alan  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Research Grade , 4H Alan: 95%

  3, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Research Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H Alan  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤10 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….  

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Production Grade , 4H Alan: 100%

  3, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Production Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  100% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤10 Warp  ≤25 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 350 μm, Dummy Grade , 4H Alan: 95%

  3, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Dummy Grade Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤25 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  22.0±2.0 IF Uzunluğu  11.0±1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H )-4H) Alttaş/ Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Production Grade , 4H Area: 1

  2, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler : Kalite  Production Grade Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤0.3 4H area  1 Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤10 Bow  ≤10 Warp  ≤25 OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Testing Grade , 4H Alan: %80

  2, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Testing Grade Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤1 4H Alan  80% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Mechanical Grade , 4H Alan: %95

  2, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite Dummy Grade Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤1 4H alan  95% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤15 Bow  ≤25 Warp  ≤35 OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Silikon Karbür ((SiC-4H)-4H) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 350 μm, Mechanical Grade , 4H Alan: %80

  2, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  Mechanical Grade Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  350 Ra  ≤1 4H Alan  80% Oryantasyon  4°±0.5° Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03 TTV  ≤25 Bow  ≤30 Warp  ≤45 OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et