İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 1000± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready

  4'', Indium Arsenide (InAs) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  EPI-Ready Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  1000± 25 Cila  Tek Taraf Katkılayıcı  Çinko/Sülfür (Zn/S, N Tipi) Oryantasyon  100 Devinim  6000-20000 EPD  ≤50000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  32.5±2 IF Uzunluğu  18±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 3”, Kalınlık: 625± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready

  3'', Indium Arsenide (InAs) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Kalite  EPI-Ready Boyut (inch)  3” Kalınlık (μm)  625± 25 Cila  Tek Taraf Katkılayıcı  Çinko/Sülfür (Zn/S, N Type) Oryantasyon  100 Devinim  6000-20000 EPD  ≤50000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  22±2 IF Uzunluğu  11±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

İndiyum Arsenür (InAs) Alttaş/Wafer, Boyut: 2”, Kalınlık: 500± 25 μm, Oryantasyon: 100, EPI-Ready

  2'', Indium Arsenide (InAs) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler:  Kalite  EPI-Ready Boyut (inch)  2” Kalınlık (μm)  500± 25 Cila  Tek Taraf Katkılayıcı  Çinko/Sülfür  (Zn/S, N Type) Oryantasyon  100 Devinim  6000-20000 EPD  ≤50000 Büyüme Yöntemi  VGF OF Uzunluğu  16±2 IF Uzunluğu  8±1   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et