Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Kalınlık: 725 nm, P tipi

  8'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  8” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  İlk Katkılayıcı  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon  100 Cihaz Kalınlığı (nm)  600 Cihaz Direnci (ohm.cm)  1-100 Cihaz Tipi  P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yönelimi  100 Kutu Kalınlığı (nm)  2000   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi

  8'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  8” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  Prime Katkılayıcı  P tipi (Bor Katkılı) Oryantasyon  100 Cihaz Kalınlığı (nm)  300 Cihaz Direnci (ohm.cm)  1-100 ohm.cm Cihaz Tipi  P tipi (Bor Katkılı) Cihaz Yönelimi  100 Kutu Kalınlığı (nm)  500   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Cihaz Kalınlığı: 340 nm, P tipi

  6'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  6” Kalınlık (μm)  625 Özdirenç (ohm.cm)  1-20 Kademe  İlk Katkı Maddesi  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon  100 Cihaz Kalınlığı (nm)  340 Cihaz Direnci (ohm.cm)  1-20 Cihaz Tipi  P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yönelimi  100 Kutu Kalınlığı (μm)  2   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 6”, Kalınlık: 625 nm, P tipi

  6'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  6” Kalınlık (μm)  625 Özdirenç (ohm.cm)  1-20 Kademe  İlk Katkı Maddesi  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon  100 Cihaz Kalınlığı (nm)  220 Cihaz Direnci (ohm.cm)  1-20 Cihaz Tipi  P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yönelimi  100 Kutu Kalınlığı (μm)  1.5   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/ Wafer, Boyut: 4”, Kalınlık: 725 μm, P tipi (Bor katkılanmış)

  4'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  4” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  İlk Katkı Maddesi  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon  100 Cihaz Kalınlığı (nm)  300 Cihaz Direnci (ohm.cm)  1-100 Cihaz Tipi  P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yöneliimi  100 Kutu Kalınlığı (nm)  500   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et