Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Kalınlık: 725 nm, P tipi

  8'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  8” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  İlk Katkılayıcı  P tipi (Bor katkılanmış) Oryantasyon  100 Cihaz Kalınlığı (nm)  600 Cihaz Direnci (ohm.cm)  1-100 Cihaz Tipi  P tipi (Bor katkılanmış) Cihaz Yönelimi  100 Kutu Kalınlığı (nm)  2000   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et 

Yalıtımlı Silikon (SOI) Alttaş/Wafer, Boyut: 8”, Cihaz Kalınlığı: 300 nm, P tipi

  8'', Silicon on Insulator (SOI) Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   17 Kasım 2021

Teknik Özellikler: Boyut (inch)  8” Kalınlık (μm)  725 Özdirenç (ohm.cm)  1-100 Kademe  Prime Katkılayıcı  P tipi (Bor Katkılı) Oryantasyon  100 Cihaz Kalınlığı (nm)  300 Cihaz Direnci (ohm.cm)  1-100 ohm.cm Cihaz Tipi  P tipi (Bor Katkılı) Cihaz Yönelimi  100 Kutu Kalınlığı (nm)  500   Kaynak: Linke tıklayınız….

Devam Et