Blog
  3, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş, Wafer - Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler:

Kalite  Production Grade
Boyut (inch)  3”
Kalınlık (μm)  350
Ra  ≤0.3
4H area  100%
Oryantasyon  4°±0.5°
Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03
TTV  ≤15
Bow  ≤10
Warp  ≤25
OF Uzunluğu  22.0±2.0
IF Uzunluğu  11.0±1.5

 

Kaynak: Linke tıklayınız….

Bir cevap yazın