Blog
  2, Gallium Antimonide (GaSb) Wafer / Alttaş, Silicon carbide ( SiC-4H ) - 4H Wafer / Alttaş   0   16 Kasım 2021

Teknik Özellikler :

Kalite  Production Grade
Boyut (inch)  2”
Kalınlık (μm)  350
Ra  ≤0.3
4H area  1
Oryantasyon  4°±0.5°
Özdirenç (Ω·cm)  0.015-0.03
TTV  ≤10
Bow  ≤10
Warp  ≤25
OF Uzunluğu  16±2
IF Uzunluğu  8±1

 

Kaynak: Linke tıklayınız….

Bir cevap yazın